
삼성전자가 업계의 예상을 뒤엎고 HBM4 세계 최초 양산 출하라는 금자탑을 쌓으며 반도체 전쟁의 판도를 바꿨습니다. 2026년 2월 12일 공식 발표된 내용을 중심으로 HBM4 시장의 지각변동과 기술적 특징을 정리해 드립니다. 삼성전자가 2026년 2월 12일, 6세대 고대역폭 메모리인 HBM4의 세계 최초 양산 출하를 공식 발표하며 시장 선점에 성공했습니다. 이번 제품은 최선단 1c D램 공정과 4나노 파운드리 베이스 다이를 적용해 초당 11.7Gbps의 압도적 속도를 구현했으며, 전력 효율은 40%, 방열 특성은 30% 향상되었습니다. SK하이닉스가 원가 경쟁력을 무기로 추격하는 가운데, 삼성은 ‘초격차 성능’과 ‘최초 공급’이라는 명예를 선택하며 엔비디아 내 점유율 확대를 노리고 있습니다. 이로써 3월 GTC 2026에서 공개될 엔비디아의 차세대 플랫폼 ‘베라 루빈’의 핵심 파트너로서 삼성전자의 입지는 더욱 공고해질 전망입니다.
목차
“HBM 잔혹사 끝났다” 삼성전자 HBM4 세계 최초 양산 성공과 반도체 패권의 이동
삼성전자가 6세대 HBM(HBM4) 시장에서 SK하이닉스를 제치고 ‘세계 최초 양산 출하’ 타이틀을 거머쥐었습니다. 기술적 한계를 돌파하며 엔비디아의 차세대 AI 플랫폼 ‘베라 루빈’의 핵심 파트너로 우뚝 선 삼성의 전략을 분석합니다.

1. 삼성의 승부수: 1c D램과 4나노 공정의 결합

삼성전자는 기존의 범용적 접근 대신 최첨단 공정을 집약한 ‘오버스펙’ 전략으로 시장의 의구심을 잠재웠습니다.
JEDEC 표준을 상회하는 11.7Gbps의 속도
이번에 양산된 HBM4는 초당 11.7Gbps의 데이터 처리 속도를 구현했습니다. 이는 업계 표준인 8Gbps보다 약 46% 빠르며, 전작인 HBM3E 대비 1.2배 향상된 수치입니다. 삼성은 이 속도를 최대 13Gbps까지 끌어올릴 수 있다고 밝혀, 대규모 AI 모델의 고질적인 문제인 ‘데이터 병목 현상’을 해결할 유일한 대안으로 부상했습니다.
4나노 파운드리와 베이스 다이의 혁신
삼성은 메모리 적층 구조의 핵심인 ‘베이스 다이’에 자사의 4나노 파운드리 공정을 적용했습니다. 이를 통해 전력 효율을 40% 개선하고, 열 저항 특성 10%, 방열 특성 30%를 각각 향상시켰습니다. HBM의 고질적 문제였던 발열 이슈를 최첨단 로직 공정으로 정면 돌파한 것입니다.
2. 엔비디아와 구글의 선택: 다변화되는 HBM 공급망

엔비디아의 ‘베라 루빈’과 구글의 ‘TPU v8’ 등 차세대 AI 가속기 시장에서 삼성전자의 영향력이 급격히 확대되고 있습니다.
마이크론의 퀄 테스트 난항과 삼성의 반사이익
업계에서는 마이크론이 엔비디아의 HBM4 테스트에서 목표치인 11Gbps를 달성하지 못했다는 소문이 돌았습니다. 비록 마이크론 측은 정상 진행 중이라 반박했으나, 삼성전자가 11.7Gbps의 오버스펙 제품을 선제적으로 출하함에 따라 엔비디아 내 삼성의 공급 비중이 당초 예상(30%)보다 높은 40% 이상으로 상향될 가능성이 커졌습니다.
구글 TPU v8과의 SiP 테스트 성공
삼성전자의 HBM4는 브로드컴과 진행한 시스템인패키지(SiP) 테스트에서도 11Gbps 초중반대 속도를 기록하며 합격점을 받았습니다. 이는 AI 연산에 특화된 구글의 차세대 가속기 TPU v8 경쟁에서도 삼성이 우위를 점했음을 의미하며, 특정 고객사에 의존하지 않는 안정적인 포트폴리오 구축을 가능케 합니다.
3. SK하이닉스와의 진검승부: 명예 vs 실리

최초 납품에 성공한 삼성과 원가 경쟁력을 보유한 SK하이닉스의 전략적 대결이 흥미롭게 전개되고 있습니다.
최신 공정의 리스크와 수율의 숙제
삼성전자는 6세대(1c) D램이라는 최신 공정을 사용해 성능은 잡았지만, 아직 안정적인 수율 확보라는 숙제가 남아있습니다. 반면 SK하이닉스는 검증된 5세대(1b) D램 공정을 활용해 원가 측면에서 우위에 있습니다. 삼성은 ‘최초 양산’이라는 명예를 얻기 위해 초기 비용 부담을 감수하는 전략을 선택했습니다.
GTC 2026에서 드러날 실체
오는 3월 16일 산호세에서 열리는 GTC 2026은 삼성전자 HBM4의 진가를 확인할 무대입니다. 이곳에서 삼성의 HBM4가 탑재된 베라 루빈 상용화 제품이 공개된다면, 삼성이 HBM 시장의 주도권을 완전히 탈환했음을 전 세계에 선포하는 자리가 될 것입니다.
4. 결론: HBM4E로 이어지는 2027년 로드맵

삼성전자는 이번 양산에 안주하지 않고 차세대 강화판인 HBM4E에 대한 청사진도 함께 제시했습니다.
2027년 HBM4E 본격 진입 선언
올해 말까지 HBM4E의 샘플 출하를 완료하고, 2027년부터는 16단 적층 구조와 HBM4E를 통해 시장 지배력을 공고히 하겠다는 계획입니다. 이는 AI 가속기 시장의 발전 속도에 맞춰 메모리 기술을 선제적으로 투입하겠다는 의지의 표현입니다.
한국 반도체의 동반 성장
결국 삼성전자와 SK하이닉스의 치열한 경쟁은 한국 반도체 산업 전체의 파이를 키우는 긍정적인 효과를 낳고 있습니다. 2026년 한국 경제의 든든한 버팀목인 두 기업의 HBM 전쟁은 이제 성능을 넘어 수율과 맞춤형(Custom) 서비스 경쟁으로 진화하고 있습니다.
한 장 요약
- 역전의 한 방: 삼성전자가 예전의 실수를 만회하고,
세계에서 가장 먼저 6세대 HBM(HBM4)을 만들어 팔기 시작했습니다. - 압도적 속도: 초당 11.7Gbps라는 속도를 냈는데, 이건 영화 수십 편을
눈 깜빡할 새에 옮길 수 있는 수준이며 세계 최고 기록입니다. - 발열과 전기 해결: 최신 로직 공정(4나노)을 사용해
전기는 40% 덜 쓰고, 열은 30% 더 잘 식히도록 만들었습니다. - 엔비디아의 단짝: 3월에 열리는 큰 행사(GTC 2026)에서 삼성의 메모리가 들어간
엔비디아의 차세대 AI 장비가 처음 공개될 예정입니다. - 강력한 경쟁: 경쟁사인 SK하이닉스와 마이크론이 바짝 뒤쫓고 있지만,
삼성은 가장 어려운 기술을 먼저 성공시켜 기선을 제압했습니다. - 미래 계획: 2027년에는 성능을 더 강화한 HBM4E를 내놓겠다는
구체적인 계획까지 발표하며 자신감을 보였습니다. - 핵심 포인트: 삼성이 HBM 시장에서 다시 1등 자리를 되찾기 위한
공식적인 반격이 시작되었고, 이는 우리나라 경제에도 큰 활력소가 될 것입니다.
오늘의 사유
[패배의 쓴잔을 넘어서는 초격차의 미학]
삼성전자가 2019년 HBM 사업에서 철수하며 맛보았던 뼈아픈 실책은, 2026년 오늘 ‘세계 최초 HBM4 양산’이라는 화려한 반전 드라마의 밑거름이 되었습니다. 2년이라는 시간의 뒤처짐을 극복하기 위해 삼성이 선택한 전략은 단순히 따라가는 것이 아니라, 규격을 넘어서는 ‘오버스펙’과 최첨단 4나노 공정의 결합이었습니다. 젠슨 황과 치맥을 나누며 신뢰를 쌓은 SK하이닉스의 유연함도 훌륭하지만, 기술적 정공법으로 정면 돌파를 선택한 삼성의 뚝심은 ‘역시 삼성’이라는 감탄을 자아냅니다. 이제 캘리포니아의 99치킨에서 젠슨 황이 삼성의 HBM4를 바라보며 어떤 미소를 지을지 궁금해집니다. 숫자와 데이터 뒤에 숨겨진 엔지니어들의 땀방울이, 위태로운 한국 경제를 지탱하는 든든한 달러의 비가 되어 내리고 있습니다.